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रसायनसी पर जीई के epitaxial विकास (100)



<पी> सामग्री

परिचय

साहित्य की समीक्षा

जीई सी heterostructures क्वांटम डॉट्स

मौलिक किसी और चीज

ग्रोथ और आदेश सुविधाओं ensembles के जीई nanoclusters। सिलिकॉन की सतह (100)

रूपात्मक पुनर्निर्माण

आत्म संगठन के प्रभाव

द्वीपों का आकार और घनत्व: प्रबंधन क्षमताओं

बगल में मॉनिटरिंग

विवरण प्रयोगात्मक सेटअप

आणविक बीम सेटिंग Epitaxy में Katun

इलेक्ट्रॉन बीम बाष्पीकरण

diffractometer तेजी इलेक्ट्रॉनों

क्वार्ट्ज मोटाई मीटर

नमूना तैयार

प्रयोग के परिणाम

चर्चा परिणाम

तुलना चार्ट डेटा साहित्य में उपलब्ध

तापमान व्यवहार विशेषता toschin

निष्कर्ष है

धन्यवाद

सी

साहित्य की सूची
परिचय

पतली के भौतिकी से फिल्मों से संबंधित उपलब्धियों और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक के आगे विकास की संभावनाओं, प्रकाशिकी, उपकरण और नई प्रौद्योगिकी के अन्य क्षेत्रों में। प्रगति इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के miniaturization द्वारा ही संभव बनाया पतली परत के epitaxial विकास का उपयोग करने में कामयाब विभिन्न वातावरण से vacuo में अर्धचालक, धातुओं और dielectrics।

अब यह बहुत मुश्किल है अर्धचालक के बिना आधुनिक ठोस अवस्था भौतिकी की कल्पना heterostructures। यदि चालकता प्रकार अर्धचालक नियंत्रित करने की संभावना विभिन्न दोष और इंजेक्शन लगाने nonequilibrium के विचार के साथ डोपिंग से चार्ज वाहक अर्धचालक बढ़ी से जो बीज थे इलेक्ट्रॉनिक्स, heterostructures यह संभव काफी अधिक सामान्य हल करने के लिए कर सकता है अर्धचालक क्रिस्टल में बुनियादी मानकों के प्रबंधन की समस्या और यंत्र: bandgap, वाहक और के प्रभावी जन उनके mobilities, अपवर्तक सूचकांक, और इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्पेक्ट्रम टी। ई।

सेमीकंडक्टर heterostructures और, विशेष रूप से, क्वांटम कुओं सहित डबल heterostructures, तार (सीपी) और डॉट्स (QDs) अब अनुसंधान 03/02 के अधीन हैं अर्धचालक भौतिकी के क्षेत्र में अनुसंधान समूहों। मोस्ट क्वांटम तारों और डॉट्स है का आदेश दिया arrays के गठन के होनहार विधि क्रिस्टल सतह पर स्वयं संगठन की घटना का उपयोग करता है कि एक विधि। बेमेल पर विकास के मामले में लोचदार तनाव की छूट जाली माल का आदेश दिया सरणियों आरटी के गठन के लिए नेतृत्व कर सकते हैं।

ब्याज की विस्फोट में इस क्षेत्र अर्धचालक nanostructures के उत्पादन के लिए की जरूरत है ऊर्जा प्रदान करने के लिए कुछ नैनोमीटर आकार रेंज में कमरे में कुछ के.टी. की इलेक्ट्रॉनों की sublevels और छेद के बीच अंतराल तापमान। Nanostructures की एक सहज आदेश देने के प्राप्त करने के लिए अनुमति देता है संकीर्ण अंतराल अर्धचालकों के शामिल किए जाने के विस्तृत सरणी में और इस तरह वाहक सीमित के लिए क्षमता पैदा करते हैं। सहज की घटना nanostructures की घटना में एक नई उत्पादन तकनीक के लिए आधार बनेगी आदेश दिया क्वांटम तारों और क्वांटम डॉट्स की सरणियों - थोक के लिए आधार और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक की एक नई पीढ़ी।

बावजूद कई और विविध अनुसंधान प्रक्रियाओं epitaxial क्रिस्टलीकरण पूरी तरह से समझाया नहीं किया गया है। यह पहली बार में, की वजह से है सब अलग में क्रिस्टलीकरण की प्रक्रिया से जुड़ी समस्याओं की जटिलता प्रणालियों और वातावरण। इस पत्र में हम जीई के epitaxial विकास पर जांच पर विवर्तन पैटर्न में पर...

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